IDDD10G65C6

第6代CoolSiC是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。 英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步改进， 引入了新的肖特基金属系统等进步。 其结果是产品系列在所有负载条件下都提高了效率， 这得益于更低的品质因数 (Qc×VF)。 CoolSiC 650V G6二极管旨在补充600V和650V CoolMOS系列， 满足该电压范围内最严格的应用要求。