IAUTN08S5N012LATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IAUTN08S5N012LATMA1
特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。 应用：配电和电池管理（电子保险丝和断开开关）
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
17
货期
现货
IAUTN08S5N012LATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
IAUTN08S5N012LATMA1概述
特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。 应用：配电和电池管理（电子保险丝和断开开关）
IAUTN08S5N012LATMA1特性
暂无产品特性。
IAUTN08S5N012LATMA1应用领域
暂无应用领域。