IAUCN10S7N074ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IAUCN10S7N074ATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。 器件结构支持快速开关操作， 在电源管理、电机驱动及高频逆变等应用中可有效降低功耗并提升系统响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
97
货期
现货
IAUCN10S7N074ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
IAUCN10S7N074ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。 器件结构支持快速开关操作， 在电源管理、电机驱动及高频逆变等应用中可有效降低功耗并提升系统响应速度。
IAUCN10S7N074ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IAUCN10S7N074ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。