IAUCN10S7N040ATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.6毫欧。 其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 有助于提升系统效率并减少散热需求。 适用于高电流开关电源、电机控制、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子装置， 在频繁开关或持续大电流工作条件下仍能保持稳定性能。