IAUCN10S7L040ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IAUCN10S7L040ATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及低至3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其优异的导通特性可显著降低导通损耗， 提升系统整体效率。 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及高电流开关应用， 在高频或大电流工作条件下仍能保持稳定的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
62
货期
现货
IAUCN10S7L040ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 62 |
IAUCN10S7L040ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及低至3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其优异的导通特性可显著降低导通损耗， 提升系统整体效率。 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及高电流开关应用， 在高频或大电流工作条件下仍能保持稳定的电气性能。
IAUCN10S7L040ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IAUCN10S7L040ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。