IAUCN08S7N019ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IAUCN08S7N019ATMA1
特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 应用：一般汽车应用
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
23
货期
现货
IAUCN08S7N019ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IAUCN08S7N019ATMA1概述
特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 应用：一般汽车应用
IAUCN08S7N019ATMA1特性
暂无产品特性。
IAUCN08S7N019ATMA1应用领域
暂无应用领域。