IAUCN04S6N013TATMA1
IC
PG-LHDSO-10-1
可供量大可议
IAUCN04S6N013TATMA1
特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 应用：一般汽车应用
品牌
Infineon
封装
PG-LHDSO-10-1
库存
7
货期
现货
IAUCN04S6N013TATMA1参数
| 封装 | PG-LHDSO-10-1 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
IAUCN04S6N013TATMA1概述
特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 应用：一般汽车应用
IAUCN04S6N013TATMA1特性
暂无产品特性。
IAUCN04S6N013TATMA1应用领域
暂无应用领域。