IAUC60N06S5N074ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IAUC60N06S5N074ATMA1
特性：N沟道， 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常电平， 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 应用：一般汽车应用
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
31
货期
现货
IAUC60N06S5N074ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
IAUC60N06S5N074ATMA1概述
特性：N沟道， 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常电平， 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 应用：一般汽车应用
IAUC60N06S5N074ATMA1特性
暂无产品特性。
IAUC60N06S5N074ATMA1应用领域
暂无应用领域。