IAUC60N04S6N031HATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IAUC60N04S6N031HATMA1
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1， 最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
2
货期
现货
IAUC60N04S6N031HATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IAUC60N04S6N031HATMA1概述
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1， 最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
IAUC60N04S6N031HATMA1特性
暂无产品特性。
IAUC60N04S6N031HATMA1应用领域
暂无应用领域。