IAUC26N10S5L245
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
IAUC26N10S5L245
IAUC26N10S5L245采用先进的SGT MOSFET技术， 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具备更高的耐用性， 适用于……
品牌
Leiditech
封装
DFN-8(5x6)
库存
67
货期
现货
IAUC26N10S5L245参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 67 |
IAUC26N10S5L245概述
IAUC26N10S5L245采用先进的SGT MOSFET技术， 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具备更高的耐用性， 适用于……
IAUC26N10S5L245特性
暂无产品特性。
IAUC26N10S5L245应用领域
暂无应用领域。