IAUC120N06S5N011ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IAUC120N06S5N011ATMA1
特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET， N沟道。 增强模式。 正常水平， 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 应用：一般汽车应用
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
19
货期
现货
IAUC120N06S5N011ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IAUC120N06S5N011ATMA1概述
特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET， N沟道。 增强模式。 正常水平， 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 应用：一般汽车应用
IAUC120N06S5N011ATMA1特性
暂无产品特性。
IAUC120N06S5N011ATMA1应用领域
暂无应用领域。