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IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY

该N沟道场效应管具有60V的漏源电压(VDSS)和125A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关场景。 其导通电阻低至2.4mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中, 是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件, 适用于对功耗和空间有严格要求的设备。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

133

货期

现货

IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存133

IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管具有60V的漏源电压(VDSS)和125A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关场景。 其导通电阻低至2.4mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中, 是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件, 适用于对功耗和空间有严格要求的设备。

IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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