IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压(VDSS)和125A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关场景。 其导通电阻低至2.4mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中, 是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件, 适用于对功耗和空间有严格要求的设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
133
货期
现货
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 133 |
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管具有60V的漏源电压(VDSS)和125A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关场景。 其导通电阻低至2.4mΩ, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 可广泛用于各类电源转换、电机驱动及功率管理电路中, 是高性能、高密度设计中实现高效能功率控制的关键元件, 适用于对功耗和空间有严格要求的设备。
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IAUC120N06S5L032ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
