IAUC120N04S6N013ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IAUC120N04S6N013ATMA1
特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
341
货期
现货
IAUC120N04S6N013ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 341 |
IAUC120N04S6N013ATMA1概述
特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
IAUC120N04S6N013ATMA1特性
暂无产品特性。
IAUC120N04S6N013ATMA1应用领域
暂无应用领域。