IAUC100N10S5L040-HXY

该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至3.6mΩ， 可有效降低大电流工作下的功率损耗。 其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景， 如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。 器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性， 适合对能效和功率密度有较高要求的设备， 广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。