IAUAN04S7N006AUMA1
IC
HSOF-5
可供量大可议
IAUAN04S7N006AUMA1
特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 最高260℃峰值回流的MSL2a。 应用：一般汽车应用
品牌
Infineon
封装
HSOF-5
库存
4
货期
现货
IAUAN04S7N006AUMA1参数
| 封装 | HSOF-5 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IAUAN04S7N006AUMA1概述
特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 最高260℃峰值回流的MSL2a。 应用：一般汽车应用
IAUAN04S7N006AUMA1特性
暂无产品特性。
IAUAN04S7N006AUMA1应用领域
暂无应用领域。