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IAUA200N04S5N010
IC

HSOF-5

可供量大可议

IAUA200N04S5N010

场效应管(MOSFET) IAUA200N04S5N010 HSOF-5

品牌

Infineon

封装

HSOF-5

库存

20,000

货期

现货

IAUA200N04S5N010参数

封装HSOF-5
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))0.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.4V
反向传输电容(Crss)120pF
分类场效应管(MOSFET)
库存20,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)167W
输入电容(Ciss)7.65nF
工作温度-55℃~+175℃

IAUA200N04S5N010概述

场效应管(MOSFET) IAUA200N04S5N010 HSOF-5

IAUA200N04S5N010特性

暂无产品特性。

IAUA200N04S5N010应用领域

暂无应用领域。

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