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HYG400P10LR1D
IC

TO-252-2

可供量大可议

HYG400P10LR1D

P沟道增强型MOSFET, 电流:-40A, 耐压:100V

品牌

HUAYI

封装

TO-252-2

库存

2,355

货期

现货

HYG400P10LR1D参数

封装TO-252-2
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2355

HYG400P10LR1D概述

P沟道增强型MOSFET, 电流:-40A, 耐压:100V

HYG400P10LR1D特性

暂无产品特性。

HYG400P10LR1D应用领域

暂无应用领域。

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