HYG180N10LS1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG180N10LS1D
特性：100V/45A， RDS(ON)= 16mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON)= 24mΩ (典型值) @ VGS = 6V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：高频负载点同步降压转换器
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
2,370
货期
现货
HYG180N10LS1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2370 |
HYG180N10LS1D概述
特性：100V/45A， RDS(ON)= 16mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON)= 24mΩ (典型值) @ VGS = 6V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：高频负载点同步降压转换器
HYG180N10LS1D特性
暂无产品特性。
HYG180N10LS1D应用领域
暂无应用领域。