HYG170ND03LA1S
IC
SOP-8
可供量大可议
HYG170ND03LA1S
特性：30V/9A。 RDS(ON)=14.5mΩ（典型值）， VGS = 10V。 RDS(ON)=19.7mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
品牌
HUAYI
封装
SOP-8
库存
195
货期
现货
HYG170ND03LA1S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
HYG170ND03LA1S概述
特性：30V/9A。 RDS(ON)=14.5mΩ（典型值）， VGS = 10V。 RDS(ON)=19.7mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
HYG170ND03LA1S特性
暂无产品特性。
HYG170ND03LA1S应用领域
暂无应用领域。