HYG110P04LQ2D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG110P04LQ2D
特性：40V / -50A， RDS(ON)= 9.4mΩ（典型值）@VGS = -10V， RDS(ON)= 13 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC转换器中的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
2,443
货期
现货
HYG110P04LQ2D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2443 |
HYG110P04LQ2D概述
特性：40V / -50A， RDS(ON)= 9.4mΩ（典型值）@VGS = -10V， RDS(ON)= 13 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC转换器中的电源管理
HYG110P04LQ2D特性
暂无产品特性。
HYG110P04LQ2D应用领域
暂无应用领域。