HYG110P04LQ2C2
IC
PDFN-8(5.9x5.2)
可供量大可议
HYG110P04LQ2C2
特性：40V / -55A。 RDS(on)=9.0 mΩ (典型值) @ VGS=-10V。 RDS(on)=13.0 mΩ (典型值) @ VGS=-4.5V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：开关应用。 DC/DC 电源管理
品牌
HUAYI
封装
PDFN-8(5.9x5.2)
库存
2,490
货期
现货
HYG110P04LQ2C2参数
| 封装 | PDFN-8(5.9x5.2) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2490 |
HYG110P04LQ2C2概述
特性：40V / -55A。 RDS(on)=9.0 mΩ (典型值) @ VGS=-10V。 RDS(on)=13.0 mΩ (典型值) @ VGS=-4.5V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：开关应用。 DC/DC 电源管理
HYG110P04LQ2C2特性
暂无产品特性。
HYG110P04LQ2C2应用领域
暂无应用领域。