HYG110N11LS1C2
IC
PDFN-8(4.9x5.8)
可供量大可议
HYG110N11LS1C2
特性：115V/60A， 导通电阻RDS(ON) = 9.8mΩ（典型值）， VGS = 10V； 导通电阻RDS(ON) = 14.5mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：DC-DC电源管理。 快速充电器应用
品牌
HUAYI
封装
PDFN-8(4.9x5.8)
库存
4,863
货期
现货
HYG110N11LS1C2参数
| 封装 | PDFN-8(4.9x5.8) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4863 |
HYG110N11LS1C2概述
特性：115V/60A， 导通电阻RDS(ON) = 9.8mΩ（典型值）， VGS = 10V； 导通电阻RDS(ON) = 14.5mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：DC-DC电源管理。 快速充电器应用
HYG110N11LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG110N11LS1C2应用领域
暂无应用领域。