HYG090ND06LS1C2
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
HYG090ND06LS1C2
特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。 应用：开关应用。 DC/DC 电源管理
品牌
HUAYI
封装
PDFN-8(5x6)
库存
72,464
货期
现货
HYG090ND06LS1C2参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 72464 |
HYG090ND06LS1C2概述
特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。 应用：开关应用。 DC/DC 电源管理
HYG090ND06LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG090ND06LS1C2应用领域
暂无应用领域。