HYG080N10LS1C2
IC
PDFN5x6-8L
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HYG080N10LS1C2
场效应管(MOSFET) 71W 100V 65A 1个N沟道
品牌
HUAYI
封装
PDFN5x6-8L
库存
12,079
货期
现货
HYG080N10LS1C2参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 755pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12,079 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.2nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF |
| 类型 | N沟道 |
HYG080N10LS1C2概述
场效应管(MOSFET) 71W 100V 65A 1个N沟道
HYG080N10LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG080N10LS1C2应用领域
暂无应用领域。