HYG065N15NS1B
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HYG065N15NS1B
特性：150V/165A， 导通电阻 RDS(ON)=6.2mΩ（典型值）， VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。 应用：功率开关应用。 不间断电源
品牌
HUAYI
封装
TO-263-2L
库存
309
货期
现货
HYG065N15NS1B参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 309 |
HYG065N15NS1B概述
特性：150V/165A， 导通电阻 RDS(ON)=6.2mΩ（典型值）， VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。 应用：功率开关应用。 不间断电源
HYG065N15NS1B特性
暂无产品特性。
HYG065N15NS1B应用领域
暂无应用领域。