HYG064N08NA1B
IC
TO-263-2
可供量大可议
HYG064N08NA1B
特性：80V/120A。 R_D(ON)=6.4mΩ (typ. ) @ V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-263-2
库存
15
货期
现货
HYG064N08NA1B参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
HYG064N08NA1B概述
特性：80V/120A。 R_D(ON)=6.4mΩ (typ. ) @ V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
HYG064N08NA1B特性
暂无产品特性。
HYG064N08NA1B应用领域
暂无应用领域。