HYG060N08NS1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG060N08NS1D
特性：80V/80A。 RDS(ON)=5.7mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
11,382
货期
现货
HYG060N08NS1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11382 |
HYG060N08NS1D概述
特性：80V/80A。 RDS(ON)=5.7mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
HYG060N08NS1D特性
暂无产品特性。
HYG060N08NS1D应用领域
暂无应用领域。