HYG054N09NS1B
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HYG054N09NS1B
特性：85V/135A， RDS(ON)=4.8mΩ(典型值)@VGS=10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电机控制
品牌
HUAYI
封装
TO-263-2L
库存
18
货期
现货
HYG054N09NS1B参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
HYG054N09NS1B概述
特性：85V/135A， RDS(ON)=4.8mΩ(典型值)@VGS=10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电机控制
HYG054N09NS1B特性
暂无产品特性。
HYG054N09NS1B应用领域
暂无应用领域。