HYG053N10NS1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG053N10NS1D
特性：100V/95A， 导通电阻RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电机控制与驱动
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
2,406
货期
现货
HYG053N10NS1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2406 |
HYG053N10NS1D概述
特性：100V/95A， 导通电阻RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电机控制与驱动
HYG053N10NS1D特性
暂无产品特性。
HYG053N10NS1D应用领域
暂无应用领域。