HYG053N10NS1C2
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
HYG053N10NS1C2
特性：100V/95A， RDS(ON) = 4.6mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
PDFN5x6-8L
库存
50,788
货期
现货
HYG053N10NS1C2参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50788 |
HYG053N10NS1C2概述
特性：100V/95A， RDS(ON) = 4.6mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
HYG053N10NS1C2特性
暂无产品特性。
HYG053N10NS1C2应用领域
暂无应用领域。