HYG053N10NS1B
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HYG053N10NS1B
特性：100V/120A， RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。 应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-263-2L
库存
6,838
货期
现货
HYG053N10NS1B参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6838 |
HYG053N10NS1B概述
特性：100V/120A， RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。 应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
HYG053N10NS1B特性
暂无产品特性。
HYG053N10NS1B应用领域
暂无应用领域。