HYG050N13NS1B6
IC
TO-263-6
可供量大可议
HYG050N13NS1B6
特性：135V/200A， RDS(ON)=3.8mΩ（典型值）， VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅环保器件。 应用：功率开关应用。 不间断电源
品牌
HUAYI
封装
TO-263-6
库存
21
货期
现货
HYG050N13NS1B6参数
| 封装 | TO-263-6 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
HYG050N13NS1B6概述
特性：135V/200A， RDS(ON)=3.8mΩ（典型值）， VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅环保器件。 应用：功率开关应用。 不间断电源
HYG050N13NS1B6特性
暂无产品特性。
HYG050N13NS1B6应用领域
暂无应用领域。