HYG050N08NS1C2
IC
PPAK-8L(5x6)
可供量大可议
HYG050N08NS1C2
特性：80V/100A， RDS(ON) = 4.1mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 有无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
PPAK-8L(5x6)
库存
90
货期
现货
HYG050N08NS1C2参数
| 封装 | PPAK-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
HYG050N08NS1C2概述
特性：80V/100A， RDS(ON) = 4.1mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 有无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
HYG050N08NS1C2特性
暂无产品特性。
HYG050N08NS1C2应用领域
暂无应用领域。