库存与价格 最近更新：2026年10月9日 00:34（北京时间）
联系电话：+86-18127098848联系邮箱：sales@womaielec.com
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号：
HYG045P06LA1B
IC

TO-263-2

可供量大可议

HYG045P06LA1B

P沟道增强型MOSFET, 电流:-160A, 耐压:-60V

品牌

HUAYI

封装

TO-263-2

库存

90

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

HYG045P06LA1B参数

封装TO-263-2
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存90

HYG045P06LA1B概述

P沟道增强型MOSFET, 电流:-160A, 耐压:-60V

HYG045P06LA1B特性

暂无产品特性。

HYG045P06LA1B应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件