HYG045N03LA1C1
IC
PDFN-8(3.1x3.1)
可供量大可议
HYG045N03LA1C1
特性：30V/50A， RDS(ON) = 3.9 mΩ（典型值）， @VGS = 10V。 RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值）， @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电池保护
品牌
HUAYI
封装
PDFN-8(3.1x3.1)
库存
2,360
货期
现货
HYG045N03LA1C1参数
| 封装 | PDFN-8(3.1x3.1) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2360 |
HYG045N03LA1C1概述
特性：30V/50A， RDS(ON) = 3.9 mΩ（典型值）， @VGS = 10V。 RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值）， @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 电池保护
HYG045N03LA1C1特性
暂无产品特性。
HYG045N03LA1C1应用领域
暂无应用领域。