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HYG040N04LS1C1
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

HYG040N04LS1C1

特性:40V/75A, R₍D(ON)₎ = 4.1mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 10V, R₍D(ON)₎ = 6.7mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 4.6V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件(符合 RoHS 标准)。 应用:用于 DC/DC 开关应用的电源管理

品牌

HUAYI

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

830

货期

现货

HYG040N04LS1C1参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存830

HYG040N04LS1C1概述

特性:40V/75A, R₍D(ON)₎ = 4.1mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 10V, R₍D(ON)₎ = 6.7mΩ(典型值)@V₍GS₎ = 4.6V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件(符合 RoHS 标准)。 应用:用于 DC/DC 开关应用的电源管理

HYG040N04LS1C1特性

暂无产品特性。

HYG040N04LS1C1应用领域

暂无应用领域。

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