HYG038N03LR1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG038N03LR1D
特性：30V/78A， RDS(ON) = 3.5 mΩ (typ. ) @VGS = 10V， RDS(ON) = 4.9 mΩ (typ. ) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件。 应用：负载开关。 锂电池保护板
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
8,675
货期
现货
HYG038N03LR1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8675 |
HYG038N03LR1D概述
特性：30V/78A， RDS(ON) = 3.5 mΩ (typ. ) @VGS = 10V， RDS(ON) = 4.9 mΩ (typ. ) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件。 应用：负载开关。 锂电池保护板
HYG038N03LR1D特性
暂无产品特性。
HYG038N03LR1D应用领域
暂无应用领域。