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HYG038N03LR1C2
IC

PDFN-8(5x6)

可供量大可议

HYG038N03LR1C2

特性:30V/84A, RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值), VGS = 10V; RDS(ON) = 5.1mΩ(典型值), VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。 应用:负载开关-锂电池保护板

品牌

HUAYI

封装

PDFN-8(5x6)

库存

23,250

货期

现货

HYG038N03LR1C2参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存23250

HYG038N03LR1C2概述

特性:30V/84A, RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值), VGS = 10V; RDS(ON) = 5.1mΩ(典型值), VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。 应用:负载开关-锂电池保护板

HYG038N03LR1C2特性

暂无产品特性。

HYG038N03LR1C2应用领域

暂无应用领域。

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