HYG030N03LQ1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG030N03LQ1D
特性：30V/100A， RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V， RDS(ON) = 3.5 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：电池保护。 电机驱动
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
HYG030N03LQ1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HYG030N03LQ1D概述
特性：30V/100A， RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V， RDS(ON) = 3.5 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：电池保护。 电机驱动
HYG030N03LQ1D特性
暂无产品特性。
HYG030N03LQ1D应用领域
暂无应用领域。