HYG028N10NS1B6
IC
TO-263-6
可供量大可议
HYG028N10NS1B6
特性：100V/230A， RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：电源开关应用。 不间断电源
品牌
HUAYI
封装
TO-263-6
库存
639
货期
现货
HYG028N10NS1B6参数
| 封装 | TO-263-6 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 639 |
HYG028N10NS1B6概述
特性：100V/230A， RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：电源开关应用。 不间断电源
HYG028N10NS1B6特性
暂无产品特性。
HYG028N10NS1B6应用领域
暂无应用领域。