HYG027N04LR1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG027N04LR1D
特性：40V/95A， RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：负载开关。 锂电池保护板
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
2,490
货期
现货
HYG027N04LR1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2490 |
HYG027N04LR1D概述
特性：40V/95A， RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。 应用：负载开关。 锂电池保护板
HYG027N04LR1D特性
暂无产品特性。
HYG027N04LR1D应用领域
暂无应用领域。