HYG024N03LR1P
IC
TO-220FB-3L
可供量大可议
HYG024N03LR1P
特性：30V/160A。 RDS(ON)=2.1mΩ（典型值）， VGS = 10V。 RDS(ON)=2.7mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-220FB-3L
库存
24
货期
现货
HYG024N03LR1P参数
| 封装 | TO-220FB-3L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
HYG024N03LR1P概述
特性：30V/160A。 RDS(ON)=2.1mΩ（典型值）， VGS = 10V。 RDS(ON)=2.7mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
HYG024N03LR1P特性
暂无产品特性。
HYG024N03LR1P应用领域
暂无应用领域。