HYG023N04NR1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG023N04NR1D
特性：45V/140A， R_D(ON)=2.3mΩ（典型值）， V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。 应用：负载开关。 电池保护
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
394
货期
现货
HYG023N04NR1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 394 |
HYG023N04NR1D概述
特性：45V/140A， R_D(ON)=2.3mΩ（典型值）， V_GS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。 应用：负载开关。 电池保护
HYG023N04NR1D特性
暂无产品特性。
HYG023N04NR1D应用领域
暂无应用领域。