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HYG023N04LS1P
IC

TO-220FB

可供量大可议

HYG023N04LS1P

N沟道 耐压:40V 电流:170A

品牌

HUAYI

封装

TO-220FB

库存

87

货期

现货

HYG023N04LS1P参数

封装TO-220FB
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存87

HYG023N04LS1P概述

N沟道 耐压:40V 电流:170A

HYG023N04LS1P特性

暂无产品特性。

HYG023N04LS1P应用领域

暂无应用领域。

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