HYG023N04LS1B
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HYG023N04LS1B
特性：40V/170A。 RDS(ON)=2.1 mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON)=2.9 mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件 (符合RoHS标准)。 应用：DC/DC电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-263-2L
库存
751
货期
现货
HYG023N04LS1B参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 751 |
HYG023N04LS1B概述
特性：40V/170A。 RDS(ON)=2.1 mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON)=2.9 mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件 (符合RoHS标准)。 应用：DC/DC电源管理
HYG023N04LS1B特性
暂无产品特性。
HYG023N04LS1B应用领域
暂无应用领域。