HYG023N04LQ1P
IC
TO-220FB
可供量大可议
HYG023N04LQ1P
特性：40V/170A。 RDS(ON)=2.3 mΩ(典型值)@VGS=10V。 RDS(ON)=3.0 mΩ(典型值)@VGS=4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 锂电池保护
品牌
HUAYI
封装
TO-220FB
库存
1
货期
现货
HYG023N04LQ1P参数
| 封装 | TO-220FB |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
HYG023N04LQ1P概述
特性：40V/170A。 RDS(ON)=2.3 mΩ(典型值)@VGS=10V。 RDS(ON)=3.0 mΩ(典型值)@VGS=4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 锂电池保护
HYG023N04LQ1P特性
暂无产品特性。
HYG023N04LQ1P应用领域
暂无应用领域。