HYG023N03LR1D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HYG023N03LR1D
特性：30V/110A， RDS(ON)=2.1mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON)=2.7mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
10
货期
现货
HYG023N03LR1D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HYG023N03LR1D概述
特性：30V/110A， RDS(ON)=2.1mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON)=2.7mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
HYG023N03LR1D特性
暂无产品特性。
HYG023N03LR1D应用领域
暂无应用领域。