HYG023N03LR1C2
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
HYG023N03LR1C2
30V/125A。 在VGS = 10V时， RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）。 在VGS = 4.5V时， RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）
品牌
HUAYI
封装
DFN5x6-8L
库存
8
货期
现货
HYG023N03LR1C2参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
HYG023N03LR1C2概述
30V/125A。 在VGS = 10V时， RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）。 在VGS = 4.5V时， RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）
HYG023N03LR1C2特性
暂无产品特性。
HYG023N03LR1C2应用领域
暂无应用领域。