HYG016N04LS1B
IC
TO-263
可供量大可议
HYG016N04LS1B
特性：40V/240A， RDS(ON)= 1.4 mΩ (典型值) @VGS = 10V， RDS(ON)= 1.8 mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：DC/DC电源管理。 电池管理
品牌
HUAYI
封装
TO-263
库存
299
货期
现货
HYG016N04LS1B参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 299 |
HYG016N04LS1B概述
特性：40V/240A， RDS(ON)= 1.4 mΩ (典型值) @VGS = 10V， RDS(ON)= 1.8 mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。 应用：DC/DC电源管理。 电池管理
HYG016N04LS1B特性
暂无产品特性。
HYG016N04LS1B应用领域
暂无应用领域。