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HYG015N03LR1P
IC

TO-220FB-3L

可供量大可议

HYG015N03LR1P

特性:30V/170A, RDS(ON) = 1.8mΩ(典型值)@VGS = 10V, RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。 应用:功率开关应用。 电池保护

品牌

HUAYI

封装

TO-220FB-3L

库存

39

货期

现货

HYG015N03LR1P参数

封装TO-220FB-3L
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存39

HYG015N03LR1P概述

特性:30V/170A, RDS(ON) = 1.8mΩ(典型值)@VGS = 10V, RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。 应用:功率开关应用。 电池保护

HYG015N03LR1P特性

暂无产品特性。

HYG015N03LR1P应用领域

暂无应用领域。

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